MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
XPN9R614MC
应用：汽车、开关稳压器、DC-DC 转换器、电机驱动器
特点
(1) AEC-Q101 认证标准
(2) 小而薄的封装
(3) 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
(4) 低漏电流：IDSS = -10 µA（最大值）（VDS = -40 V）
(5) 增强模式：Vth = -1.0 至 -2.1 V（VDS = -10 V，ID = -0.5 mA）
绝对最大额定值：
| 项目 |
符号 |
值 |
单位 |
| Drain-Source voltage |
VDSS |
-40 |
V |
| Gate-Source voltage |
VGSS |
+10/-20 |
V |
| Drain current |
ID |
-40 |
A |
| Power Dissipation |
PD |
100 |
W |
电气特性：
| 项目 |
符号 |
条件 |
值 |
单位 |
| Gate threshold voltage (Max) |
Vth |
|
-2.1 |
V |
| Drain-Source on-resistance (Max) |
RDS(ON) |
|VGS|=10V |
9.6 |
mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) |
RDS(ON) |
|VGS|=4.5V |
13.4 |
mΩ |
| Input capacitance (Typ.) |
Ciss |
|
3000 |
pF |
| Total gate charge (Typ.) |
Qg |
VGS=-10V |
64 |
nC |